GeneSiC Semiconductor - MSRT250120(A)

KEY Part #: K6469902

MSRT250120(A) 価格設定(USD) [1740個在庫]

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品番:
MSRT250120(A)
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A) electronic components. MSRT250120(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT250120(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT250120(A) 製品の属性

品番 : MSRT250120(A)
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 250A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 250A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 15µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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