DD1200S12H4HOSA1 価格設定（USD） [143個在庫]
- 1 pcs$322.90157
- 品番:
- DD1200S12H4HOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOD DIODE 1200A IHMB130-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1 electronic components. DD1200S12H4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DD1200S12H4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DD1200S12H4HOSA1 製品の属性
品番 :
DD1200S12H4HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOD DIODE 1200A IHMB130-2
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
1200A
パワー-最大 :
1200000W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.35V @ 15V, 1200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
-
入力容量（Cies）@ Vce :
-
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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