現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. MT47H256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc. - MT47H256M8EB-25E:C

KEY Part #: K916964

MT47H256M8EB-25E:C 価格設定（USD） [5824個在庫]

  • 1 pcs$8.26990
品番:
MT47H256M8EB-25E:C
メーカー:
Micron Technology Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 2G 256MX8 FBGA
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、組み込み-マイクロコントローラー-アプリケーション固有, PMIC-バッテリー管理, PMIC-電圧レギュレータ-リニア, PMIC-現在の規制/管理, PMIC-電圧リファレンス, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, 組み込み-マイクロプロセッサー and リニア-アンプ-計装、オペアンプ、バッファアンプを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E:C electronic components. MT47H256M8EB-25E:C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H256M8EB-25E:C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H256M8EB-25E:C 製品の属性

品番 : MT47H256M8EB-25E:C
メーカー : Micron Technology Inc.
説明 : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 : 400MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 400ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : 0°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-FBGA (9x11.5)

最新ニュース

Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron LPDRAM
Micron NAND-Based MCP
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND Flash
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 9200 NVMe™ SSDs
あなたも興味があるかもしれません
  • MR20H40CDF

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN. NVRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

  • 71321LA20PFG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • 71321LA20TFG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • 71321LA25TFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • W632GG8AB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

  • W632GG8KB-09

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ.

ホットパーツ