UGB8JTHE3/45 価格設定（USD） [115017個在庫]
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- 品番:
- UGB8JTHE3/45
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JTHE3/45 electronic components. UGB8JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JTHE3/45 製品の属性
品番 :
UGB8JTHE3/45
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.75V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
30µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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- SS5P9HM3/86A
- UES2604
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- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
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- 1N5622GP-E3/54
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- 181NQ045R
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- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
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- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18