[12785個在庫]
- 品番:
- STP50NE10
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 50A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP50NE10 electronic components. STP50NE10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP50NE10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP50NE10 製品の属性
品番 :
STP50NE10
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
シリーズ :
STripFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
180W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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