ON Semiconductor - FCH190N65F-F085

KEY Part #: K6398680

FCH190N65F-F085 価格設定(USD) [19350個在庫]

  • 1 pcs$2.12986

品番:
FCH190N65F-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH190N65F-F085 製品の属性

品番 : FCH190N65F-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3181pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

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