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ON Semiconductor - NVMTS0D7N04CTXG

KEY Part #: K6396573

NVMTS0D7N04CTXG 価格設定（USD） [33293個在庫]

  • 1 pcs$1.23791
品番:
NVMTS0D7N04CTXG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
AFSM T6 40V SG NCH.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMTS0D7N04CTXG electronic components. NVMTS0D7N04CTXG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMTS0D7N04CTXG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMTS0D7N04CTXG 製品の属性

品番 : NVMTS0D7N04CTXG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : AFSM T6 40V SG NCH
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 51A (Ta), 430A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 0.67 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9281pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.9W (Ta), 273W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFNW (8.3x8.4)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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