Diodes Incorporated - SBRT3M30LP-7

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SBRT3M30LP-7 価格設定(USD) [391793個在庫]

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品番:
SBRT3M30LP-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
DIODE SBR 30V 3A 8DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 3A TrenchSBR 30V 3A 0.49Vf 0.02
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT3M30LP-7 製品の属性

品番 : SBRT3M30LP-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : DIODE SBR 30V 3A 8DFN
シリーズ : TrenchSBR
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Super Barrier
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 490mV @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 16ns
電流-Vrでの逆漏れ : 20µA @ 40V
静電容量@ Vr、F : 100pF @ 30V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerUDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : U-DFN3030-8
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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