Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C75P-M-18

KEY Part #: K6484238

BZD27C75P-M-18 価格設定(USD) [954299個在庫]

  • 1 pcs$0.03876
  • 50,000 pcs$0.03544

品番:
BZD27C75P-M-18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZD27C75P-M-18 electronic components. BZD27C75P-M-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD27C75P-M-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C75P-M-18 製品の属性

品番 : BZD27C75P-M-18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 75V
公差 : -
パワー-最大 : 800mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 100 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 56V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -65°C ~ 175°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)

あなたも興味があるかもしれません
  • BZD27C75P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C11P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C6V8P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C8V2P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZX84J-B62,115

    Nexperia USA Inc.

    DIODE ZENER 62V 550MW SOD323F. Zener Diodes Diode Zener Single 62V 2% 550mW 2-Pin

  • TDZ24J,115

    Nexperia USA Inc.

    DIODE ZENER 24V 500MW SOD323F. Zener Diodes 24.5V 16.8uA 30Ohm