Microsemi Corporation - JAN2N3637UB

KEY Part #: K6380209

JAN2N3637UB 価格設定（USD） [4910個在庫]

1 pcs$8.92075
100 pcs$8.87636

品番:: JAN2N3637UB

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: TRANS PNP 175V 1A.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JAN2N3637UB electronic components. JAN2N3637UB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N3637UB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JAN2N3637UB 製品の属性

品番 : JAN2N3637UB

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : TRANS PNP 175V 1A

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/357

部品ステータス : Active

トランジスタータイプ : PNP

電流-コレクター（Ic）（最大） : 1A

電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 175V

Vce飽和（最大）@ Ib、Ic : 600mV @ 5mA, 50mA

電流-コレクターのカットオフ（最大） : 10µA

DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce : 100 @ 50mA, 10V

パワー-最大 : 1.5W

頻度-遷移 : -

動作温度 : -65°C ~ 200°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 3-SMD, No Lead

サプライヤーデバイスパッケージ : 3-SMD

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