Infineon Technologies - IRFB7787PBF

KEY Part #: K6399649

IRFB7787PBF 価格設定(USD) [56337個在庫]

  • 1 pcs$0.66478
  • 10 pcs$0.58868
  • 100 pcs$0.46514
  • 500 pcs$0.34122
  • 1,000 pcs$0.26938

品番:
IRFB7787PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 83A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFB7787PBF electronic components. IRFB7787PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB7787PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB7787PBF 製品の属性

品番 : IRFB7787PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 83A TO220
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 76A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.4 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.7V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 109nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4020pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.

  • IRFI634GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP.

  • R6020ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM.

  • IRFI9Z34GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP.