Nexperia USA Inc. - PSMN2R4-30YLDX

KEY Part #: K6411790

PSMN2R4-30YLDX 価格設定(USD) [226207個在庫]

  • 1 pcs$0.16351
  • 1,500 pcs$0.13142

品番:
PSMN2R4-30YLDX
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30YLDX electronic components. PSMN2R4-30YLDX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R4-30YLDX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN2R4-30YLDX 製品の属性

品番 : PSMN2R4-30YLDX
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2256pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 106W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

あなたも興味があるかもしれません
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.