Toshiba Memory America, Inc. - TH58BVG2S3HTAI0

KEY Part #: K937266

TH58BVG2S3HTAI0 価格設定（USD） [16322個在庫]

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25 pcs$2.02563
50 pcs$2.01171

品番:: TH58BVG2S3HTAI0

メーカー:: Toshiba Memory America, Inc.

詳細な説明:: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ICチップ, PMIC-LEDドライバー, ロジック-FIFOメモリ, リニア-アンプ-計装、オペアンプ、バッファアンプ, データ収集-タッチスクリーンコントローラー, PMIC-モータードライバー、コントローラー, PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター and リニア-アンプ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BVG2S3HTAI0 electronic components. TH58BVG2S3HTAI0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BVG2S3HTAI0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

TH58BVG2S3HTAI0 製品の属性

品番 : TH58BVG2S3HTAI0

メーカー : Toshiba Memory America, Inc.

説明 : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

シリーズ : Benand™

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NAND (SLC)

メモリー容量 : 4Gb (512M x 8)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns

アクセス時間 : 25ns

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ : 48-TSOP I

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