STGW15M120DF3 価格設定（USD） [18376個在庫]
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- 品番:
- STGW15M120DF3
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 30A 259W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STGW15M120DF3 electronic components. STGW15M120DF3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGW15M120DF3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGW15M120DF3 製品の属性
品番 :
STGW15M120DF3
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
IGBT 1200V 30A 259W
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
30A
電流-パルスコレクター（Icm） :
60A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.3V @ 15V, 15A
パワー-最大 :
259W
スイッチングエネルギー :
550µJ (on), 850µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
226nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
26ns/122ns
試験条件 :
600V, 15A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
270ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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