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- 品番:
- ES3BHE3/9AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3BHE3/9AT electronic components. ES3BHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3BHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3BHE3/9AT 製品の属性
品番 :
ES3BHE3/9AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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