Central Semiconductor Corp - CDM22010-650 SL

KEY Part #: K6398989

CDM22010-650 SL 価格設定(USD) [44322個在庫]

  • 1 pcs$0.96999
  • 10 pcs$0.87550
  • 100 pcs$0.70366
  • 500 pcs$0.54729
  • 1,000 pcs$0.45347

品番:
CDM22010-650 SL
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET N-CH 10A 650V TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Central Semiconductor Corp CDM22010-650 SL electronic components. CDM22010-650 SL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDM22010-650 SL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDM22010-650 SL 製品の属性

品番 : CDM22010-650 SL
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET N-CH 10A 650V TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : 30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1168pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3
あなたも興味があるかもしれません
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.