Diodes Incorporated - DDTD114TU-7-F

KEY Part #: K6526890

DDTD114TU-7-F 価格設定(USD) [3014個在庫]

  • 3,000 pcs$0.02401
  • 6,000 pcs$0.02088
  • 15,000 pcs$0.01775
  • 30,000 pcs$0.01671
  • 75,000 pcs$0.01566

品番:
DDTD114TU-7-F
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DDTD114TU-7-F electronic components. DDTD114TU-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDTD114TU-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDTD114TU-7-F 製品の属性

品番 : DDTD114TU-7-F
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 500mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 100 @ 5mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-323

あなたも興味があるかもしれません
  • PDTA124EK,115

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3.

  • PDTA114EK,115

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3.

  • UNR211400L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.

  • UNR221000L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • UNR221T00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • UNR221800L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.