Microsemi Corporation - APT100GN120J

KEY Part #: K6532740

APT100GN120J 価格設定(USD) [2794個在庫]

  • 1 pcs$16.76219
  • 10 pcs$15.50433
  • 25 pcs$14.24722
  • 100 pcs$13.24153

品番:
APT100GN120J
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GN120J electronic components. APT100GN120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GN120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GN120J 製品の属性

品番 : APT100GN120J
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 153A 446W SOT227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 153A
パワー-最大 : 446W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100µA
入力容量(Cies)@ Vce : 6.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT