SE20FJHM3/H 価格設定（USD） [776047個在庫]
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- 品番:
- SE20FJHM3/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20FJHM3/H electronic components. SE20FJHM3/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20FJHM3/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE20FJHM3/H 製品の属性
品番 :
SE20FJHM3/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1.7A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 2A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
920ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
13pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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