Infineon Technologies - BCR108E6327HTSA1

KEY Part #: K6528427

BCR108E6327HTSA1 価格設定(USD) [2380284個在庫]

  • 1 pcs$0.01554
  • 3,000 pcs$0.01408
  • 6,000 pcs$0.01270
  • 15,000 pcs$0.01105
  • 30,000 pcs$0.00994
  • 75,000 pcs$0.00884
  • 150,000 pcs$0.00736

品番:
BCR108E6327HTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BCR108E6327HTSA1 electronic components. BCR108E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR108E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR108E6327HTSA1 製品の属性

品番 : BCR108E6327HTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 170MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FJN4302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • BCR183E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3.

  • UNR211V00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.

  • BCR533E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3.

  • UNR221M00L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • BCR148E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3.