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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV51216EEBLL-10BLI

KEY Part #: K928164

IS61WV51216EEBLL-10BLI 価格設定（USD） [10187個在庫]

  • 1 pcs$4.49778
品番:
IS61WV51216EEBLL-10BLI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-電圧レギュレータ-リニア+スイッチング, リニア-アンプ-特別な目的, PMIC-電圧レギュレータ-リニア, データ収集-タッチスクリーンコントローラー, インターフェイス-ダイレクトデジタル合成（DDS）, ロジック-ゲートとインバーター, インターフェース-I / Oエクスパンダー and インターフェース-アナログスイッチ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10BLI electronic components. IS61WV51216EEBLL-10BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61WV51216EEBLL-10BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61WV51216EEBLL-10BLI 製品の属性

品番 : IS61WV51216EEBLL-10BLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : SRAM
技術 : SRAM - Asynchronous
メモリー容量 : 8Mb (512K x 16)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 10ns
アクセス時間 : 10ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.4V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 48-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 48-TFBGA (6x8)

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