RGTH00TS65GC11 価格設定（USD） [22533個在庫]
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- 品番:
- RGTH00TS65GC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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RGTH00TS65GC11 製品の属性
品番 :
RGTH00TS65GC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
85A
電流-パルスコレクター（Icm） :
200A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
277W
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
94nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
39ns/143ns
試験条件 :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247N
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