Taiwan Semiconductor Corporation - BZD17C36P RTG

KEY Part #: K6491503

BZD17C36P RTG 価格設定(USD) [1023209個在庫]

  • 1 pcs$0.03615

品番:
BZD17C36P RTG
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RTG electronic components. BZD17C36P RTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD17C36P RTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD17C36P RTG 製品の属性

品番 : BZD17C36P RTG
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE ZENER 36V 800MW SUB SMA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 36V
公差 : ±5.55%
パワー-最大 : 800mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 40 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 27V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA

あなたも興味があるかもしれません
  • BZD27C62P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C11P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C10P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C120P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C24P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • SZBZX84C33ET3G

    ON Semiconductor

    DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3. Zener Diodes ZEN REG .225W SPCL