Microsemi Corporation - 1N485BUR

KEY Part #: K6454889

1N485BUR 価格設定（USD） [19367個在庫]

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品番:: 1N485BUR

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation 1N485BUR electronic components. 1N485BUR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N485BUR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

1N485BUR 製品の属性

品番 : 1N485BUR

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 180V

電流-平均整流（Io） : 100mA (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 100mA

速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 25nA @ 180V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : DO-213AA

サプライヤーデバイスパッケージ : -

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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