Microsemi Corporation - APTDC10H601G

KEY Part #: K6541513

[12351個在庫]


    品番:
    APTDC10H601G
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A SP1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTDC10H601G electronic components. APTDC10H601G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTDC10H601G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTDC10H601G 製品の属性

    品番 : APTDC10H601G
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A SP1
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Silicon Carbide Schottky
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 10A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 10A
    電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 600V
    動作温度 : -
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : SP1
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

    あなたも興味があるかもしれません
    • MBL106S-M3/I

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4SMD.

    • DBD10G-E

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • NSR1030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30 V SCHOTTKY FULL

    • NSR2030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30 V SCHOTTKY FUL

    • DBA500G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

    • DBA40G-K20

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.