GeneSiC Semiconductor - MBR20040CTR

KEY Part #: K6468883

MBR20040CTR 価格設定(USD) [1317個在庫]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681

品番:
MBR20040CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 200A Schottky Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20040CTR electronic components. MBR20040CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20040CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20040CTR 製品の属性

品番 : MBR20040CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 40V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 650mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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