Toshiba Semiconductor and Storage - BAV99W,LF

KEY Part #: K6479668

BAV99W,LF 価格設定(USD) [2619647個在庫]

  • 1 pcs$0.01412

品番:
BAV99W,LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
X34 PB-F SWITCHING DIODE USM. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .9pF .15A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAV99W,LF electronic components. BAV99W,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV99W,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV99W,LF 製品の属性

品番 : BAV99W,LF
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : X34 PB-F SWITCHING DIODE USM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 150mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 150mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 200nA @ 80V
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-76, SOD-323
サプライヤーデバイスパッケージ : USC

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS28WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT343. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAS40-04-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A