NXP USA Inc. - A2I25H060NR1

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A2I25H060NR1 価格設定(USD) [1554個在庫]

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品番:
A2I25H060NR1
メーカー:
NXP USA Inc.
詳細な説明:
IC RF LDMOS AMP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2I25H060NR1 製品の属性

品番 : A2I25H060NR1
メーカー : NXP USA Inc.
説明 : IC RF LDMOS AMP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : LDMOS (Dual)
周波数 : 2.59GHz
利得 : 26.1dB
電圧-テスト : 28V
定格電流 : -
雑音指数 : -
電流-テスト : 26mA
電力出力 : 10.5W
電圧-定格 : 65V
パッケージ/ケース : TO-270-17 Variant, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-270WB-17

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