CMH08(TE12L,Q,M) 価格設定（USD） [366462個在庫]
- 1 pcs$0.10093
- 品番:
- CMH08(TE12L,Q,M)
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH08(TE12L,Q,M) electronic components. CMH08(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH08(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH08(TE12L,Q,M) 製品の属性
品番 :
CMH08(TE12L,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
100ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ :
M-FLAT (2.4x3.8)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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