Vishay Siliconix - SIR632DP-T1-RE3

KEY Part #: K6419891

SIR632DP-T1-RE3 価格設定(USD) [142207個在庫]

  • 1 pcs$0.66478
  • 10 pcs$0.58868
  • 100 pcs$0.46539
  • 500 pcs$0.34141
  • 1,000 pcs$0.26953

品番:
SIR632DP-T1-RE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIR632DP-T1-RE3 electronic components. SIR632DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR632DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR632DP-T1-RE3 製品の属性

品番 : SIR632DP-T1-RE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO
シリーズ : ThunderFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 7.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 34.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 7.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 740pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 69.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません