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Microsemi Corporation - JAN1N5622

KEY Part #: K6427360

JAN1N5622 価格設定（USD） [8711個在庫]

  • 1 pcs$5.44264
  • 10 pcs$4.89750
  • 25 pcs$4.46200
  • 100 pcs$4.02676
  • 250 pcs$3.70026
  • 500 pcs$3.37376
品番:
JAN1N5622
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A STD 1KV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5622 electronic components. JAN1N5622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5622 製品の属性

品番 : JAN1N5622
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1000V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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