RN1106MFV,L3F 価格設定（USD） [3519812個在庫]
- 1 pcs$0.01056
- 8,000 pcs$0.01051
- 16,000 pcs$0.00914
- 24,000 pcs$0.00822
- 56,000 pcs$0.00731
- 200,000 pcs$0.00609
- 品番:
- RN1106MFV,L3F
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV,L3F electronic components. RN1106MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1106MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN1106MFV,L3F 製品の属性
品番 :
RN1106MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS PREBIAS NPN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
150mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FJNS4206RBU
- FJN4306RBU
- DDTC143ZCA-7
- DDTC143TCA-7
- UNR9212J0L
- UNR511N00L
- PDTA143ZE,115
- RN1104T5LFT
- RN1302,LF
- DDTA143ZE-7
- RN2308(TE85L,F)
- DDTC115TE-7
- DDTB142TC-7
- DDTC124TCA-7
- DDTA123YCA-7
- MUN5232T1
- FJX4001RTF
- PDTA144TK,115
- PDTA123JS,126
- PDTC143EK,115
- RN1104CT(TPL3)
- UNR9117G0L
- UNR92A6G0L
- DDTC125TKA-7-F
- DDTC114WKA-7-F
- UNR9114G0L
- UNR5111G0L
- MUN5116T1
- MMUN2134LT1
- DTA124EET1G
- BCR 179L3 E6327
- BCR 162F E6327
- BCR148WE6327BTSA1
- BCR 142L3 E6327
- BCR 114F E6327
- DTA143TEBTL
- DTC144EEBHZGTL
- DTA113ZUAT106
- PDTC144TT,215
- PDTA113EU,115