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Microsemi Corporation - APT22F80B

KEY Part #: K6396158

APT22F80B 価格設定（USD） [8040個在庫]

  • 1 pcs$5.63655
  • 10 pcs$5.07334
  • 100 pcs$4.17131
  • 500 pcs$3.49488
品番:
APT22F80B
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT22F80B electronic components. APT22F80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT22F80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F80B 製品の属性

品番 : APT22F80B
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4595pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 625W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
パッケージ/ケース : TO-247-3

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