Toshiba Semiconductor and Storage - RN2427TE85LF

KEY Part #: K6526030

RN2427TE85LF 価格設定(USD) [989644個在庫]

  • 1 pcs$0.04407
  • 3,000 pcs$0.04385

品番:
RN2427TE85LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2427TE85LF electronic components. RN2427TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2427TE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2427TE85LF 製品の属性

品番 : RN2427TE85LF
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 800mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 10 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 90 @ 100mA, 1V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 1mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : S-Mini

あなたも興味があるかもしれません
  • DRA2L14Y0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.

  • DRC2523E0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • DRA2114Y0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.

  • DRC2124E0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • DRC2114T0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3.

  • DRA2114T0L

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3.