Infineon Technologies - BAT62E6327HTSA1

KEY Part #: K6464145

BAT62E6327HTSA1 価格設定(USD) [819787個在庫]

  • 1 pcs$0.05068
  • 3,000 pcs$0.05043

品番:
BAT62E6327HTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 40V 20mA
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BAT62E6327HTSA1 electronic components. BAT62E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT62E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT62E6327HTSA1 製品の属性

品番 : BAT62E6327HTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky - 2 Independent
電圧-ピーク逆方向(最大) : 40V
電流-最大 : 20mA
静電容量@ Vr、F : 0.6pF @ 0V, 1MHz
抵抗@ If、F : -
消費電力(最大) : 100mW
動作温度 : 150°C (TJ)
パッケージ/ケース : TO-253-4, TO-253AA
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT143-4

あなたも興味があるかもしれません
  • FPNH10

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3.

  • PN5179

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3.

  • MPS3563

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92.

  • KSC1674YBU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3.

  • SS9018FBU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3.

  • KSC1730OTA

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3.