STW56N65M2-4 価格設定（USD） [15114個在庫]
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- 品番:
- STW56N65M2-4
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V I2PAKFP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in STMicroelectronics STW56N65M2-4 electronic components. STW56N65M2-4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW56N65M2-4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW56N65M2-4 製品の属性
品番 :
STW56N65M2-4
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
シリーズ :
MDmesh™ M2
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
49A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
62 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
93nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3900pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
358W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L
パッケージ/ケース :
TO-247-4
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