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- 品番:
- IDH10G65C5ZXKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDH10G65C5ZXKSA1 electronic components. IDH10G65C5ZXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH10G65C5ZXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDH10G65C5ZXKSA1 製品の属性
品番 :
IDH10G65C5ZXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
10A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 10A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
180µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
300pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-2
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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