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Microsemi Corporation - JAN1N5417US

KEY Part #: K6427644

JAN1N5417US 価格設定（USD） [7063個在庫]

  • 1 pcs$5.86387
  • 100 pcs$5.83469
品番:
JAN1N5417US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5417US electronic components. JAN1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417US 製品の属性

品番 : JAN1N5417US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/411
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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