Infineon Technologies - IRF3710LPBF

KEY Part #: K6418922

IRF3710LPBF 価格設定(USD) [83162個在庫]

  • 1 pcs$0.86129
  • 10 pcs$0.77892
  • 100 pcs$0.62585
  • 500 pcs$0.48677
  • 1,000 pcs$0.40332

品番:
IRF3710LPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF3710LPBF electronic components. IRF3710LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3710LPBF 製品の属性

品番 : IRF3710LPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 57A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3130pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません