IXYS - MMIX1X200N60B3H1

KEY Part #: K6422514

MMIX1X200N60B3H1 価格設定(USD) [2455個在庫]

  • 1 pcs$18.48104
  • 10 pcs$17.09345
  • 25 pcs$15.70735
  • 100 pcs$14.59854

品番:
MMIX1X200N60B3H1
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IGBT 600V 175A 520W SMPD.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MMIX1X200N60B3H1 electronic components. MMIX1X200N60B3H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1X200N60B3H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1X200N60B3H1 製品の属性

品番 : MMIX1X200N60B3H1
メーカー : IXYS
説明 : IGBT 600V 175A 520W SMPD
シリーズ : GenX3™, XPT™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 175A
電流-パルスコレクター(Icm) : 1000A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.7V @ 15V, 100A
パワー-最大 : 520W
スイッチングエネルギー : 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 315nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 48ns/160ns
試験条件 : 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 100ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 24-PowerSMD, 21 Leads
サプライヤーデバイスパッケージ : 24-SMPD

あなたも興味があるかもしれません