JANTXV1N6075 価格設定（USD） [4597個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N6075
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1.5A SFST 150V HRV
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6075 electronic components. JANTXV1N6075 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6075, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N6075 製品の属性
品番 :
JANTXV1N6075
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/503
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
850mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2.04V @ 9.4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
A-PAK
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 155°C
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