NSVDTA114YM3T5G 価格設定（USD） [1840247個在庫]
- 1 pcs$0.02010
- 16,000 pcs$0.01709
- 品番:
- NSVDTA114YM3T5G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVDTA114YM3T5G electronic components. NSVDTA114YM3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVDTA114YM3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVDTA114YM3T5G 製品の属性
品番 :
NSVDTA114YM3T5G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
260mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-723
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