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Microsemi Corporation - JAN1N6641US

KEY Part #: K6426980

JAN1N6641US 価格設定（USD） [7875個在庫]

  • 1 pcs$5.25926
  • 100 pcs$5.23309
品番:
JAN1N6641US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6641US electronic components. JAN1N6641US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6641US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6641US 製品の属性

品番 : JAN1N6641US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/609
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 300mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 5ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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