IXYS - IXTP1N100P

KEY Part #: K6394871

IXTP1N100P 価格設定(USD) [59377個在庫]

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品番:
IXTP1N100P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1N100P 製品の属性

品番 : IXTP1N100P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 331pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3