APTGT100H60T3G 価格設定（USD） [1180個在庫]
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- 25 pcs$32.93470
- 100 pcs$31.15438
- 品番:
- APTGT100H60T3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTGT100H60T3G electronic components. APTGT100H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTGT100H60T3G 製品の属性
品番 :
APTGT100H60T3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150A
パワー-最大 :
340W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
250µA
入力容量（Cies）@ Vce :
6.1nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3
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