ES1AL R3G 価格設定（USD） [973370個在庫]
- 1 pcs$0.03800
- 品番:
- ES1AL R3G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL R3G electronic components. ES1AL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1AL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1AL R3G 製品の属性
品番 :
ES1AL R3G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
950mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
10pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sub SMA
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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