Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ33-GS18

KEY Part #: K6458545

BAQ33-GS18 価格設定(USD) [2202576個在庫]

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品番:
BAQ33-GS18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ33-GS18 製品の属性

品番 : BAQ33-GS18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1nA @ 15V
静電容量@ Vr、F : 3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-80 MiniMELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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