NSVMUN5131T1G 価格設定（USD） [2120666個在庫]
- 1 pcs$0.02008
- 12,000 pcs$0.01998
- 品番:
- NSVMUN5131T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5131T1G electronic components. NSVMUN5131T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5131T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVMUN5131T1G 製品の属性
品番 :
NSVMUN5131T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
2.2 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
8 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 5mA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
202mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-3 (SOT323)
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