現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

KEY Part #: K939410

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR 価格設定（USD） [25024個在庫]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034
品番:
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
メーカー:
Micron Technology Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash SLC 2G 256MX8 TSOP
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、組み込み-DSP（デジタルシグナルプロセッサ）, リニア-アナログ乗算器、除算器, メモリ-コントローラー, インターフェイス-ダイレクトデジタル合成（DDS）, クロック/タイミング-アプリケーション固有, リニア-ビデオ処理, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能 and PMIC-バッテリー管理を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR electronic components. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR 製品の属性

品番 : MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
メーカー : Micron Technology Inc.
説明 : IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND
メモリー容量 : 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : -
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 48-TSOP I

最新ニュース

Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron NAND-Based MCP
Micron LPDRAM
Micron NAND Flash
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron SLC NAND Flash Memory
あなたも興味があるかもしれません
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

ホットパーツ