WeEn Semiconductors - BYC30WT-600PQ

KEY Part #: K6443570

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ electronic components. BYC30WT-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYC30WT-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : BYC30WT-600PQ

メーカー : WeEn Semiconductors

説明 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io） : 30A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 2.75V @ 30A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 22ns

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3

動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

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